二者之前倒也不能说是完整的替代干系。
IGBT连络了场效晶体管栅极易驱动的特性与双极性晶体管耐高电流与低导通电压降特性，IGBT凡是用于中高容量功率场合，如切换式电源供应器、马达节制。大型的IGBT模组利用于数百安培与六千伏特的电力体系范畴，其模组内部包含数个单一IGBT元件与庇护电路。
而碳化硅则是IGBT的下一代产品。
幸亏驭电能人极多，在程高傲的陈述交上去后，苏权构造电机组的同事，对陈述停止阐发评价。
并且考虑到日本在本钱上的精打细算，IGBT可以是说将来无穷。
KUH为新产品也是投入了心机，用的是800V级别的产品，代价比支流的天然要高，KUH的对外鼓吹质料上为此大肆鼓吹，说这是业内初创。
KUH这玩意算得上国际一流水准，但加上运费关税啥的，报价也就25000群众币一台。
另有因为是刚出尝试室，以是也确切存在很多细节上的小弊端，比如为了寻求散热效力导致外壳过于庞大，开模加工不便等等。
电机这东西看起来是挺高科技高工艺的，可实际上吧，订价方面却非常之不幸。
电动车当然也要计算本钱，但是！
这些题目确切是减分项目，可真说要减太多也不尽然，减轻驭电工程师的事情量倒是真的。
以是三代同堂，各管一摊。
第三代半导体质料首要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（Eg2.3eV）半导体质料。在利用方面，按照第三代半导体的生长环境，其首要利用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器以及其他4个范畴，每个范畴财产成熟度各不不异。
续航啊！
第二代半导体质料主如果指化合物半导体质料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP，首要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高机能微波、毫米波器件及发光器件的良好质料。
这还是小批量样品的代价，前期如果大范围量产且订货量充足多的话，还能够有扣头。
程高傲目前最想搞清楚的题目是：华东电机研讨院的产品和KUH之间的差异到底有多大。
终究内部获得共鸣，刘琼没有扯谎，这确切是个好东西！
碳化硅在平常利用中能够完美替代IGBT，并且作为半导体质料天生有个长处-省电，缺点也较着本钱高。
电机企业赚点心血钱也不轻易。
这玩意的本钱也非常透明，内里采取的根基都是成熟的货架产品，毛利率一目了然。
看起来未几，但假定以400km的标准续航来计算，7%那就是30km相称可观了，从群众广场开到佘山也就这点间隔。
但现在木已成舟，他也没体例。
当然这还要看电机出产厂家卡本钱的气力。
而KUH的东西贵，用的倒是IGBT。
只是关照质量部和供应链团队，把华东电机研讨院列到备用供应商的清单中去。
华东电机研讨院的气力，让苏权眼睛一亮。
先说IGBT, IGBT的大范围产业化利用开端于上世纪八十年代，投入利用后很快把前代的BJT和MOSFET产品冲得落花流水。
据测算，采取碳化硅的电机节制器比用IGBT的，能让车在普通环境下多7%摆布的续航。
和第一代、第二代半导体质料比拟，第三代半导体质料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射才气，因此更合适于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，凡是又被称为宽禁带半导体质料（禁带宽度大于2.2ev），也称为高温半导体质料。