初期光刻机土鳖的很，根基都是从电影摄像机上改革出来的，暴光光源也比较奇葩从光谱红外端到近紫外段用啥的都有，
1nm靠近式 X 光：这个阵营包含ASET、Mitsubishi，、NEC、Toshiba，、NTT、IBM、摩托罗拉，这也是一个被林本坚博士击沉的阵营，因为尝试室向来比财产界前沿的原因，这个阵营肇端于八十年底期，采取靠近式暴光体例出产，原打算能够作为157光源以后的后补技术退场，到了新世纪固然没有尼康那般不利刚好产品成熟，不过美日两国也各安闲这个方向上投入了数十亿美圆的巨资，还未问世就已经凉凉也不晓得是幸还是不幸。
λ这玩意颠末任务九年的都晓得，代表着光的波长，在公式中波长越低光刻机的精度就越高。
不过跟着摩尔定律的见效，光源敏捷从红外端向紫外端挪动，镜头也敏捷超出了电影镜头所要求的精度，越来越专业加工越来越难。
电子束直写技术因为电子束的特性原因，在精度上能够抢先暴光技术4、五个世代，也就是说在晶圆出产线支流技术为1.0微米的期间，电子束直写技术能够把制程线宽直接推动到0.13微米。
港基集电作为共和国独一一家能摸到财产前沿尾巴的微电子个人，内部对将来的技术线路天然也是争论不竭，有站队193nm决定只看面前的，有站队153nm的，比拟193nm晋升25%也是晋升对不对，比拟极紫外光反射式Euv光刻，153nm设备的研发难度真是缩小了一个数量级，看起来是个弯道超车的好计划。
0.004nm EBDW 或 EPL:朗讯～贝尔尝试室、IBM、佳能、尼康，ASML被聘请插手后又率先退出，这个阵营的学名叫做电子束直写技术，是统统光刻技术阵营中看起来最吊也最浪漫的阿谁，一样也是光刻技术的物理极限，更是方伟林的首要来意。
光刻机是晶圆出产线中最为核心的出产设备，生长过程也是颠末端数代的更迭。
因为光本质是波的原因，在微观物理天下波长越短的光精度就越高，换句话说光的波长越短，在晶圆上刻下的线就越细。
时候到了八十年代，光刻机的支流光源开端利用高压汞灯，其波长为365nm财产界管这玩意叫～ i-line。
如果以大范围贸易性利用为标准线，大抵上看，六十年代是打仗式光刻机、靠近式光刻机的期间，到七十年代光刻机设备支流更新到了投影式光刻机，八十年代更新到步进式光刻机，九十年代更新到步进式扫描光刻机，新世纪初期浸入式光刻机大行其道。