在电子财产光荣193nm光源因为利用范围极广导致研发本钱降落的愉悦压根就没享用几天，光刻光源的收缩之旅直接被卡在193nm没法进步。
尼康在被ASML击败以后，曾压宝电子束直写技术搏命一搏，可惜这玩意的研发难度可谓电子行业的可控核聚变，直到梁远偷渡那一刻也没听到入坑十年的尼康搞出甚么大消息。
九十年代中期，跟着晶圆出产线线宽的进一步降落，193nm波长的 DUV 激光开端崭露头角，Duv激光也是闻名的ArF准分子激光，包含医治远视眼手术在内的多种跨行业工程利用都利用这类激光，相干激光产生器和光学镜片等技术都比较成熟。
如果以大范围贸易性利用为标准线，大抵上看，六十年代是打仗式光刻机、靠近式光刻机的期间，到七十年代光刻机设备支流更新到了投影式光刻机，八十年代更新到步进式光刻机，九十年代更新到步进式扫描光刻机，新世纪初期浸入式光刻机大行其道。
时候到了八十年代，光刻机的支流光源开端利用高压汞灯，其波长为365nm财产界管这玩意叫～ i-line。
因为芯片财产属于妙技术行业的原因，前沿和出产一线的联络非常紧密，尝试室的研发窘境很快就传导到了财产界，成果固然193nm的光源还未提高，但将来的阵营已经模糊有了迹象。
按照瑞利公式：CD=k1*(λ/NA)，此中CD代表着暴光尺寸或者叫做光刻的最小尺寸，比如5.0微米、3.0微米甚么的，乃至直接代指晶圆出产线的技术标准，K1代表着滋扰降落光刻尺寸的综合身分，比如光刻胶，比如车间环境供电电压等等。
九十年代初期，光刻机的精度进入到1.0微米以下以后，高压汞灯所供应的356nm波长就显得很大了，是以KrF 激光器成了光刻机的支流光源，其产生的248 nm波长的光源充足把晶圆出产线的线宽推动到纳米期间。
普通来讲，九十年代初期，支流技术的光刻机每小时加工的晶圆数量约莫150至200片之间，而电子束直写技术加工晶圆的数量约莫为每小时三至五片，最坑爹的是跟着将来芯片的庞大程度快速进步，港基集电预估电子束直写技术的加工才气还会可骇从每小时三至五片晶圆降落为每小时加工三至五枚芯片的程度。
自九十年代中期开端，科学家和电子财产界提出了各种超出 193nm 的计划，此中包含 157nm F2 激光，电子束投射(EPL)，离子投射(IPL)、EUV(13.5nm)和 X 光，几年的生长以后活着纪之交构成了几大技术阵营。
因为光本质是波的原因，在微观物理天下波长越短的光精度就越高，换句话说光的波长越短，在晶圆上刻下的线就越细。
得益于东洋强大的电子配套财产气力，环绕着157nm光源，东洋系电子财产链参与出来了无数的大小公司，成果都被一起打折了脊梁，在梁远偷渡之前，东洋广场和谈以后，东洋经济之以是失落长达二十年之久，林本坚博士绝对功不成没。
157nm F2：每家大型光刻公司都在研讨，但唯独东洋尼康第一个推出了达到商用标准的产品。
157nm 光会被现有支流193nm机器所用的镜片接收，光刻胶也要重新研制，以是产线改革难度极大，几近是另起炉灶的重新再来，而157nm光源对 193nm的波长进步只要不到 25%，研发投入产出比实在太低。